이미지 센서, 포토다이오드, 트랜지스터 실시예에 따른 이미지 센서는, 수광 영역을 포함하는 반도체 기판; 상기 수광 영역 이외의 상기 반도체 기판에 배치된 트랜치; 상기 수광 영역에 형성된 포토다이오드; 상기 트랜치의 바닥면에 형성된 씨모스 회로; 상기 . 상기 이미지 센서는 기판, 기판 내에 형성된 분리 절연막, 분리 절연막 하부에, 다층으로 형성된 제1 도전형의 분리 불순물 영역, 및 기판 내에 다층으로 형성된 제2 도전형의 불순물 영역을 포함하는 포토 다이오드를 포함한다. (해결 수단) 인접하는 포토 다이오드 사이에 레이저로 개질층을 만들고, 재결합 준위를 발생시켜, 화소간 크로스 . 본 발명에 따른 이미지 센서 모듈에서 모듈 하우징은 모듈 기판과 …. 13. 실시예에 따른 이미지 센서는 복수의 픽셀들이 2차원 배열된 픽셀 어레이를 포함하는 이미지 센서에서, 상기 복수의 픽셀들 각각은, 기판에 형성된 광전변환소자; 상기 광전변환소자 일부와 중첩되고 상기 기판상에 형성된 전송 게이트; 및 상기 . 2017 · ifm - automation made in Germany 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서는, 복수의 픽셀 영역들을 제공하며, 상기 복수의 픽셀 영역들 각각은 빛에 반응하여 전하를 생성하는 포토 다이오드를 갖는 반도체 기판, 및 상기 반도체 기판 상에 배치되며, 상기 포토 다이오드가 생성한 전하를 저장하는 스토리지 트랜지스터, 및 상기 . H01L31/04 — Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either 개시된 이미지 센서는, 기판과 기판의 제1 면에 마련된 복수의 박형 렌즈 및 기판의 제2 면에 마련된 복수의 광 감지셀을 포함한다. 이미지로 저장된다. 칼라 조정 경로 영역을 가지는 이미지 센서를 개시한다. ÐÏ à¡± á> þÿ fÁ2 Å2 þÿÿÿ‡/ˆ/‰/Š/‹/Œ/ /Ž/ / /‘/’/“/”/•/–/—/˜/™/š/›/œ/ /ž/Ÿ/ /¡/¢/£/¤/¥/¦/§/¨/©/ª/«/¬ . 카메라라고 하는 것에는, 기본적으로 이미지 센서가 사용되고 있습니다.
실시예에 따른 이미지센서는 기판 내에 형성된 픽셀영역; 상기 픽셀영역 일측의 기판 내에 형성된 콘택 영역; 상기 픽셀영역 내의 상기 기판에 형성된 제1 농도의 제1 도전형 영역; 및 상기 픽셀영역 내의 상기 기판에 형성되며, 상기 제1 농도 보다 높은 제2 . 대상 물체를 고해상도로 포착할 수 있는 이미지 치수 측정 시스템 IM-8000 시리즈는 간단한 조작은 그대로 유지하면서 검출 성능을 기존 대비 3배로 향상시켰습니다. 이미지 센서는 서로 대향하는 제1 면과 제2 면을 포함하는 반도체 기판; 상기 반도체 기판의 상기 제1 면으로부터 상기 반도체 기판 내부로 연장되는 전송 게이트 트렌치 내에 배치되고, 상기 반도체 기판의 상기 제2 면을 기준으로 상기 반도체 기판의 상기 제1 면보다 낮은 . 프로세서 장치(4300)는 적어도 하나의 마이크로 프로세서, 디지털 신호 프로세서, 마이크로 콘트롤러, 그리고 이들과 유사한 기능을 수행할 수 있는 논리 소자들 중에서 적어도 어느 . 하우징(10)은, 도광체(1),(2), 렌즈체(15), 및 센서(16)를 수납 또는 유지하고, 하우징 금속부(110)와 하우징 . 본 발명은 구형 이미지 센서에 관한 것으로, 외부 광량을 조절하는 조리개와; 상기 조리개를 통한 외부 광이 입사되는 구형 구조물과; 상기 구형 구조물에 입사된 광을 감지하며, 상기 구형 구조물의 곡면에 형성되어 있는 이미지 센서 구조물을 포함하여 구성된 구형 이미지 센서로 구성된다.
KR101679598B1 KR1020160000270A KR20160000270A KR101679598B1 KR 101679598 B1 KR101679598 B1 KR 101679598B1 KR 1020160000270 A KR1020160000270 A KR 1020160000270A KR 20160000270 A KR20160000270 A KR 20160000270A KR 101679598 B1 KR101679598 … 이미지 센서 Download PDF Info Publication number KR20180060309A. KR20180060309A KR1020160159663A KR20160159663A KR20180060309A KR 20180060309 A KR20180060309 A KR 20180060309A KR 1020160159663 A KR1020160159663 A KR 1020160159663A KR 20160159663 A KR20160159663 A KR 20160159663A KR … 스크라이브, 테스트 패턴, 리얼 칩, 이미지 센서 KR100698081B1 - 이미지 센서 - Google Patents 이미지 센서 Download PDF Info Publication number KR100698081B1. 이미지 센서 및 그 제조 방법이 제공된다.12. Classifications. 팩시밀리 나 복사기 에 사용되는 라인 이미지 센서 (일차원 이미지 센서)와 텔레비전 카메라 나 디지털 카메라 에 사용되는 어레이 이미지 센서 (이차원 이미지 센서)가 있다.
파이썬 리스트에서 인덱스 찾기 이미지센서, 레벨링, 단차 실시예에 따른 이미지센서는 픽셀영역과 로직패턴 영역을 포함하는 기판; 상기 픽셀영역 상에 형성된 액티브 패턴; 및 상기 로직패턴 영역 상에 형성된 더미 패턴;을 포함하며, 상기 액티브 패턴과 더미 패턴이 형성된 기판에 대해 . 이미지 센서는 서로 교차하는 제 1 방향 및 제 2 방향을 따라 배열되는 제 1 내지 제 4 단위 픽셀들을 포함하는 편광판 어레이로서, 상기 편광판 어레이는 상기 제 1 내지 제 4 단위 픽셀들에서 서로 다른 편광 방향을 갖는 편광 격자들을 포함하는 것; 및 상기 제 1 내지 제 4 . H — ELECTRICITY; H01 — ELECTRIC ELEMENTS; H01L — SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10; H01L27/00 — Devices consisting of a plurality of semicond 2018 · 그래서 영상 처리를 영어로 Image Processing이라 한다. 반도체 기판과, 상기 반도체 기판의 상면에 적층된 이미지 센서와, 상기 반도체 기판의 하면에 형성되며, 상기 이미지 센서와 전기적으로 연결되는 패드와, 상기 반도체 기판의 하면에 박막공정으로 형성되며, 상기 패드와 전기적으로 연결된 수동 소자를 포함하는 . 이미지 센서는 반도체 기판, 반도체 기판 내에 형성되고, 입사광에 대응하여 전하를 축적하는 다수의 광전 변환부, 다수의 광전 변환부 주변에 형성된 지지체, 반도체 기판 상에 형성되고, 다수의 광전 변환부에 대응되는 영역에 다수의 오목홈을 구비하는 절연막 . 본 발명은 이미지 센서에 관한 것으로, 화소들이 곡선 배치되어 있는 곡선형 이미지 센서 구조로, 인간의 망막과 같이 빛을 받는 센서의 표면이 곡선을 가짐으로서 수차와 화상의 왜곡을 줄이고 렌즈부를 간소화할 수 있다.
이미지 센서 및 전자 장치 Download PDF Info Publication number KR20190094580A. H — ELECTRICITY; H01 — ELECTRIC ELEMENTS; H01L — SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10; H01L27/00 — Devices consisting of a plurality of semicond (과제) Si 기판의 깊은 위치에 발생한 캐리어의 횡방향 확산에 의한, 인접하는 포토 다이오드로의 기여(화소간 크로스토크)를 억제하는 반도체 수광 소자를 갖는 이미지 센서를 제공한다. 2015 · CMOS 센서의 원리. 본 발명의 기술적 사상에 따른 이미지 센서는, 서로 대향하는 상면 및 하면을 가지는 기판, 상면에 수직 방향으로 이격되어 기판 내에 배치되고 광전 변환 영역을 정의하는 제1 분리 영역, 하면으로부터 수직 방향으로 제1 분리 영역까지 기판 내에 배치되는 제2 분리 영역, 광전 변환 영역에서 상면 . KR20210047008A KR1020190130512A KR20190130512A KR20210047008A KR 20210047008 A KR20210047008 A KR 20210047008A KR 1020190130512 A KR1020190130512 A KR 1020190130512A KR 20190130512 A KR20190130512 A KR 20190130512A KR … 2021 · Classifications. 이미지 센서(image sensor)가 제공된다. KR20200038147A - 이미지 센서 - Google Patents 본 발명은 이미지 센서 모듈에 관한 것으로, 이미지 센서 모듈을 사용하는 제품의 소형화를 달성하기 위하여 이미지 센서 모듈의 횡방향 크기를 감소시키기 위한 것이다. 이미지 센서가 제공된다. 이미지 센서가 제공된다. 1. . CMOS 이미지센서 국내 제조 생태계도 관심을 가질 때입니다 삼성전자는 이미지 센서 기술 확보와 함께 생산 … 이미지 센서 Download PDF Info Publication number KR20210064687A.
본 발명은 이미지 센서 모듈에 관한 것으로, 이미지 센서 모듈을 사용하는 제품의 소형화를 달성하기 위하여 이미지 센서 모듈의 횡방향 크기를 감소시키기 위한 것이다. 이미지 센서가 제공된다. 이미지 센서가 제공된다. 1. . CMOS 이미지센서 국내 제조 생태계도 관심을 가질 때입니다 삼성전자는 이미지 센서 기술 확보와 함께 생산 … 이미지 센서 Download PDF Info Publication number KR20210064687A.
KR20200105584A - 이미지 센서 - Google Patents
KR101305608B1 KR1020110122122A KR20110122122A KR101305608B1 KR 101305608 B1 KR101305608 B1 KR 101305608B1 KR 1020110122122 A KR1020110122122 A KR 1020110122122A KR 20110122122 A KR20110122122 A KR 20110122122A KR 101305608 B1 KR101305608 … 이미지 센서(4500)는 통신 링크를 통해서 프로세서 장치(4300)와 통신할 수 있다. KR20160112775A KR1020150039049A KR20150039049A KR20160112775A KR 20160112775 A KR20160112775 A KR 20160112775A KR 1020150039049 A KR1020150039049 A KR 1020150039049A KR 20150039049 A KR20150039049 A KR 20150039049A KR … 본 개시의 일 실시예는, 분리 영역에 의해 분리된 복수의 픽셀 영역을 포함하며, 제1 면 및 광이 입사되고 상기 제1 면과 반대에 위치한 제2 면을 갖는 반도체 기판과; 상기 반도체 기판의 제2 면 상에 상기 복수의 픽셀 영역에 각각 대응되도록 배치된 복수의 컬러 필터과; 상기 반도체 기판의 제2 면 . 이미지 센서가 개시된다. 이미지 센서 제조 방법은 반도체 기판 내부에 제 1 도전형 불순물이 도핑된 제 1 채널 영역을 형성하고, 제 1 채널 영역 상부에 제 2 도전형 불순물의 제 2 채널 영역을 형성하고, 제 2 채널 영역 상부에 할로겐족의 불순물을 도핑시켜 . 이미지 센서 Download PDF Info Publication number KR101679598B1. 센서 종류와 원리 압력센서의 원리 압력센서의 이용 광 센서(photo sensor) 원리 스마트폰 액정 화면이나 냉장고 터치 스크린 작동 스마트폰이나 냉장고 등 가전 제품의 터치 스크린은 미세한 전류를 감지하여 작동하는 것으로써 인체는 이런 전류를 받아들이는 도체의 역할을 하므로 터치 스크린 .
이미지 센서는, 복수의 단위 픽셀들을 포함하는 이미지 센서로, 서로 반대되는 제1 면 및 제2 면을 포함하는 기판, 상기 기판 내의 광전 변환층, 상기 기판의 상기 제1 면 상의 배선 구조체, 각각의 상기 단위 픽셀들의 상기 배선 구조체 내의 제1 커패시터 . 이미지 센서는 행 및 열을 따라 배열된 복수의 픽셀을 포함하는 픽셀 어레이; 및 상기 행 별로 상기 복수의 픽셀을 구동하는 행 드라이버를 포함하고, 상기 복수의 픽셀 각각은 복수의 서브 픽셀을 포함하고, 상기 복수의 서브 픽셀 각각은, 서로 플로팅 확산(floating diffusion . 이미지 센서 칩(100)으로 입사되는 광은 이미지 센서 칩(100)을 이루는 각 층(Layer)에 의해 반사되어 광 손실이 일어나게 되고, 반사된 광에 의해 고스트(Ghost) 현상 및 플레어(Flare) 현상이 발생되어 이미지 열화를 일으킨다. KR20130056485A - 이미지 센서 - Google Patents 이미지 센서 Download PDF Info Publication number . 2015. AR0821CS is a 1/1.차 마시는 일러스트 7zq0jn
<표 1>에 CCD와 CMOS 이미지 소자 기본 구조 비교가 되어 있다. Sensitivity: Measured average output at 25% of saturation level illumination for exposure time 1/30 sec. KR102349105B1 KR1020170179262A KR20170179262A KR102349105B1 KR 102349105 B1 KR102349105 B1 KR 102349105B1 KR 1020170179262 A KR1020170179262 A KR 1020170179262A KR 20170179262 A KR20170179262 A KR 20170179262A KR … 칩 사이즈를 감소시킬 수 있는 유기 광전층을 가지는 이미지 센서를 제공한다. 이미지 센서는 여러분의 가까이의 모든 곳에서 사용되고 있습니다. KR101463963B1 KR20130111943A KR20130111943A KR101463963B1 KR 101463963 B1 KR101463963 B1 KR 101463963B1 KR 20130111943 A KR20130111943 A KR 20130111943A KR 20130111943 A KR20130111943 A KR 20130111943A KR 101463963 B1 KR101463963 B1 KR 101463963B1 Authority KR South Korea Prior art keywords image … 이미지 센서 Download PDF Info Publication number KR20210047008A. 아래 두 그림은 이미지 센서의 구성을 간단히 도식화한 것입니다.
이미지 센서의 원리. 본 기술은 성능이 향상된 이미지 센서를 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서는, 복수의 로우 라인들 및 복수의 칼럼 라인들에 연결되는 복수의 픽셀들을 갖는 픽셀 어레이, 램프 전압 생성기가 생성하는 램프 전압을 출력하는 복수의 램프 버퍼들, 상기 램프 전압을 입력받는 제1 입력단, 및 상기 복수의 칼럼 라인들 중 하나와 연결되는 . 이미지 센서가 제공된다. 본 발명의 일 실시 형태에 따른 이미지 센서(1)는 매립형 포토 다이오드 PD(m,n)가 복수로 배열된 이미지 센서이다. 2019 · CIS 센서성능판단주요Factor 1.
카메라로 빛 정보를 처리하려면 빛 정보를 숫자 정보로 바꿔주는 매개체가 있어야 합니다. 광양자 이론에 의하면 빛 안에는 광양자가 빛의 세기만큼 존재하고 이 빛이 금속판을 쏘면 광양자에 비례에서 . 이미지 센서 제조 방법 Download PDF Info Publication number KR100526465B1. 2012 · 렌즈를 통해 들어온 빛은 이미지 센서에 모여 디지털. 본 발명의 실시예에 따른 이미지센서는 기판상에 형성된 씨모스 회로(circuitry); 상기 기판상에 형성된 하부배선; 상기 하부배선 상에 형성된 전도성 고분자; 및 상기 전도성 고분자 상에 형성된 투명전극;을 포함하는 것을 특징한다. 본 발명은 크랙 및 파티클 등의 결함 발생 없이 이미지센서를 제조하는 방법을 제공하는데 그 목적이 있는 것으로, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 이미지센서 제조방법은, 기판상에 일련의 이미지센서 소자들을 형성하는 단계; 소자보호막을 형성하는 단계: 수광영역과 비수광영역의 경계 . 2023 · 이미지 센서(영어: image sensor, imager)는 반도체소자의 제조기술을 이용하여 집적회로화된 광전변환소자이다. 이미지센서, 포토다이오드, 리드아웃 회로 실시예에 따른 이미지센서는 제1 기판에 형성된 리드아웃 회로(Readout Circuitry); 상기 제1 기판에 상기 리드아웃 회로와 전기적으로 연결되어 형성된 전기접합영역; 및 상기 전기접합영역 상에 형성된 배선; 및 상기 배선 . 상기 칼코겐 화합물은 A x B y S 1 -x-y , A x B y Te 1 -x-y 및 A x B y Se 1-x-y (0<x<1, 0<y<1)중 하나를 포함한다. KR20190094580A KR1020180013884A KR20180013884A KR20190094580A KR 20190094580 A KR20190094580 A KR 20190094580A KR 1020180013884 A KR1020180013884 A KR 1020180013884A KR 20180013884 A KR20180013884 A KR … 이미지 치수 측정 시스템 IM-8000 시리즈. … 본 발명에 따른 이미지 센서는 서로 대향되는 제1면과 제2면을 포함하는 기판, 상기 기판 내에 배치되며 서로 인접하는 광전 변환부 및 전하 저장부, 상기 제1면 상에 배치되며 상기 전하 저장부와 중첩되는 차광 패턴, 및 상기 차광 패턴 상의 저굴절 패턴을 포함할 수 있다. This advanced sensor captures images in either linear or high dynamic range, with rolling−shutter readout. 구리 스펙트럼 상기 이미지 센서는 전면과 후면이 정의되고, 픽셀을 포함하는 수광부 및 수광부 주변의 픽셀을 구동하는 회로가 형성되는 회로부를 포함하는 기판, 회로부의 전면에 형성되고, 회로를 포함하는 절연 구조체, 절연 구조체 내에 회로의 상단보다 상부에 .12. KR20200077652A KR1020180166111A KR20180166111A KR20200077652A KR 20200077652 A KR20200077652 A KR 20200077652A KR 1020180166111 A KR1020180166111 A KR 1020180166111A KR 20180166111 A KR20180166111 A KR 20180166111A KR … 이미지 센서 Download PDF Info Publication number KR20190086283A. KR20210064687A . 이미지 센서가 개시된다. 이미지 센서(s1)는, 피조사체에 빛을 출사하는 도광체(1),(2)과, 피조사체에서 반사한 반사광을 수속하는 렌즈체(15)와, 렌즈체(15)에서 수속된 반사광을 수광하는 센서(16)와, 하우징(10)을 구비한다. KR20210047008A - 이미지 센서 - Google Patents
상기 이미지 센서는 전면과 후면이 정의되고, 픽셀을 포함하는 수광부 및 수광부 주변의 픽셀을 구동하는 회로가 형성되는 회로부를 포함하는 기판, 회로부의 전면에 형성되고, 회로를 포함하는 절연 구조체, 절연 구조체 내에 회로의 상단보다 상부에 .12. KR20200077652A KR1020180166111A KR20180166111A KR20200077652A KR 20200077652 A KR20200077652 A KR 20200077652A KR 1020180166111 A KR1020180166111 A KR 1020180166111A KR 20180166111 A KR20180166111 A KR 20180166111A KR … 이미지 센서 Download PDF Info Publication number KR20190086283A. KR20210064687A . 이미지 센서가 개시된다. 이미지 센서(s1)는, 피조사체에 빛을 출사하는 도광체(1),(2)과, 피조사체에서 반사한 반사광을 수속하는 렌즈체(15)와, 렌즈체(15)에서 수속된 반사광을 수광하는 센서(16)와, 하우징(10)을 구비한다.
Sempurna Massagenbi 따라서, 이미지 센서의 품질은 곧 사진의 화질과 이어지는 셈이다 . 씨모스 이미지 센서는, p 도전형 반도체 기판 내에 형성되어 입사광에 대응하는 전하를 축적하는 포토 다이오드; 상기 포토 다이오드에 축적된 광전하를 전송받기 위한 제1 부유확산영역; 상기 포토 다이오드에 축적된 전하를 상기 제1 부유확산영역으로 전송하는 제1 . 3. 본 발명은 이미지 센서에 관한 것으로, 구형 구조물과; 상기 구형 구조물의 곡면에 형성되어 이미지를 감지하는 이미지 센서 구조물로 구성된다. 이미지센서, 씨모스 … 이미지 센서, 픽셀, 광전변환소자, 필 팩터, 웰 전위 KR100766497B1 - 이미지 센서 - Google Patents 이미지 센서 Download PDF Info Publication number KR100766497B1.28 이미지를 데이터로 .
28 HEVC 비디오 영상 포맷 (0) 2018. 본 발명은 이미지 센서 픽셀 어레이에 관한 것으로, CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 이미지 센서에 있어서 광학 블랙 픽셀(OBP; Optical Black Pixel) 영역에 과잉 전하가 유입되지 않도록 하는 기술을 개시한다. 본 발명은 이미지 센서에 관한 것으로서 좀 더 상세하게는 입력 이미지를 일정 비율로 서브 샘플링하는 장치에 관한 것이다. 이미지 센서 Download PDF Info Publication number KR20200077652A. 이미지 센서, 전하 운송 게이트, 블루밍, 다크 전류 KR20080105812A - Cmos 이미지 센서 - Google Patents Cmos 이미지 센서 Download PDF Info Publication number KR20080105812A. [mV] 2.
이미지 센서는 빛을 감지해서 그 세기의 정도를 디지 털 영상 데이터로 변환해 주는 부품으로 몇 번의 변환 과 2021 · Classifications. 실시예에 따른 이미지 센서는, 광전하 축적부 및 상기 광전하축적부와 연결되어 이미지 감지 모드에서 광전하를 전기적인신호로 변환하는 트랜지스터들을 포함하는 픽셀 어레이부 및 상기 광전하 축적부와 연결되어 충전 모드에서 광전하를 충전하는 충전부를 . . 본 발명은 이미지센서에 관한 것으로, 특히 광감도를 향상시킬 수 있는 이미지센서 제조 방법을 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은, 포토다이오드와 이웃하는 게이트전극 및 상기 이웃하는 게이트전극 사이의 기판 하부에 형성된 센싱확산영역을 포함하는 전체 구조 상부에 절연막을 . 따라서 화소마다 몇 개씩의 트랜지스터가 필요하게 … 본 발명은 비닝 동작에 따른 이미지 센서 크기 증가는 최소화시키면서 이미지 화질은 개선할 수 있는 이미지 센서에 관한 것으로, 상기 이미지 센서는 다수의 픽셀과 샘플링부간 신호 경로를 제어하며, 일반 동작시에는 상기 다수의 픽셀의 출력을 로우 단위로 상기 다수의 샘플링부에 제공하고 . 이미지 센서는 기판의 활성 영역 내에서 기판의 깊이 방향을 따라 연장되는 수직 게이트부를 포함하는 트랜스퍼 트랜지스터와, 활성 영역 내에서 기판의 상면으로부터의 깊이가 서로 다른 위치에 형성되어 있는 복수의 포토다이오드 영역과 . KR100526465B1 - 이미지 센서 제조 방법 - Google Patents
2000만 화소 CMOS와 안정적으로 에지를 검출할 수 있는 . Circuit controller for controlling a pixel circuit and a method of controlling a pixel circuit . 이러한 본 발명은 하나의 오픈픽셀에 의해 발생하는 복수의 차광픽셀들의 크로스 토크 성분의 값을 각각 측정하는 복수의 단위 테스트 패턴들을 포함하는 픽셀 어레이, 복수의 단위 테스트 패턴들에 . 따라서, 본 발명은 구형 구조물의 곡면에 이미지 센서 구조물이 형성되어 있으므로, 이미지를 감지할 수 … 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서는, 복수의 픽셀들을 포함하는 픽셀 어레이, 램프 전압 생성기, 램프 전압이 입력되는 제1 입력단 및 칼럼 라인들 중 하나에 연결되는 제2 입력단을 각각 갖는 복수의 비교기들, 및 비교기들의 적어도 일부와 동일한 구조를 갖는 복제 회로를 포함하고, 비교기들 . 이에 따라, 선명한 화상을 얻을 수 있는 씨모스 이미지 센서 및 이를 구비한 전자 기기를 제공할 수 있다. 본 발명에 따르면, 씨모스 이미지 센서의 화상 신호의 왜곡을 억제할 수 있다.Seoul fortress wall
이미지 센서가 개시된다.7−inch CMOS digital image sensor with a 3848 H x 2168 V active−pixel array. KR20190086283A KR1020180004618A KR20180004618A KR20190086283A KR 20190086283 A KR20190086283 A KR 20190086283A KR 1020180004618 A KR1020180004618 A KR 1020180004618A KR 20180004618 A KR20180004618 A KR 20180004618A KR … 본 발명은 서로 다른 칼라의 칼라필터 사이에 틈이 형성되는 것을 방지하여 빛의 난반사를 억제할 수 있는 이미지 센서 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은 평탄화막이 형성된 기판을 제공하는 단계와, 상기 평탄화막 상에 서로 이격된 복수의 제1 및 제2 칼라필터를 각각 . 이러한 본 발명은 나사산이 없이 원통체의 베이스와 렌즈를 장착한 렌즈홀더를 끼움 결합함으로서 렌즈 . Sep 2, 2021 · 본 발명의 실시 형태에 따른 이미지 센서는, 제1 방향을 따라 연장되는 제1 칼럼 라인과 제2 칼럼 라인, 상기 제1 칼럼 라인 또는 상기 제2 칼럼 라인에 연결되며, 복수의 픽셀들을 각각 포함하는 복수의 픽셀 그룹들, 제1 동작 … 이미지 센서는 반도체 기판; 상기 반도체 기판에 배치되는 수광부; 상기 반도체 기판 상에 배치되는 층간 절연막; 및 상기 층간 절연막 상에 배치되는 반사 방지 패턴을 포함한다. 이미지 센서 패키지가 제공된다.
KR100312278B1 - 이미지센서 . 이미지 센서, 크로스토크, 보색 필터, 컬러 필터 어레이 SNR 감소 없이 크로스토크를 제거하여 감도를 향상시킬 수 있는 이미지 센서는 광 감지 소자들, 및 각각이 상기 광 감지 소자들 중에서 대응되는 광 감지 소자 위에 적층된 복수의 필터들을 포함하는 필터 . 복수의 광 감지 소자들은 반도체 기판의 상부 영역에 서로 이격되어 형성된다. KR20170094693A KR1020160015779A KR20160015779A KR20170094693A KR 20170094693 A KR20170094693 A KR 20170094693A KR 1020160015779 A KR1020160015779 A KR 1020160015779A KR 20160015779 A KR20160015779 A KR 20160015779A KR … Classifications.본 발명은 이미지 센서에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 단위 픽셀들; 및 상기 단위 픽셀들 상의 컬러 필터 어레이를 포함한다. 본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서 장치는 광 검출기, 비교기, 및 메모리 회로를 포함하는 디지털 픽셀, 상기 디지털 픽셀을 제어하도록 구성된 픽셀 드라이버, 및 상기 디지털 픽셀로부터 출력된 디지털 신호에 대한 디지털 신호 처리 동작을 수행하도록 구성된 디지털 로직 회로를 포함한다.
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