본 발명은 플라즈마 처리 장치 및 방법을 개시한 것으로서, 컨파인먼트 링이 연결된 구동 축의 이동 변위를 측정하여 컨파인먼트 링의 위치를 확인함으로써, 컨파인먼트 링의 오동작에 따른 공정 불량을 예방할 수 있을 뿐만 아니라, 플라즈마 처리 영역의 공정 압력을 효율적으로 조절할 수 있는 . 진행파의 파워의 검출 정밀도 및 반사파의 파워의 검출 정밀도를 향상시킨다. 지지 구조체는 피처리체를 회전 가능하며 또한 경사 가능하게 지지하도록 구성되어 . 플라즈마 처리 장치(100)는, 기밀하게 구성되고, 접지된 대략 원통형의 챔버(1)를 갖고 있고, 챔버(1)의 상부에는, 안테나 부재(30)가 배치되어 있다. [과제] 절연물이 포함되는 워크를 처리하는 경우라도, 플라즈마 방전을 안정화시킨다. · 플라즈마 디스미어, 플라즈마 클리닝, 플라즈마 표면처리, 코팅 (PVD) 전문 업체. 개구폭이 1mm보다 큰 개구부와, 상기 개구부에 연통하는 환상 공간으로 이루어지는 환상 챔버를 규정하는 유전체 부재와 . 본 발명은 소재용 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다. 플라즈마 처리 장치는 접지 전극상의 절연막을 제거 가능하다. 플라즈마 처리 장치(1)는 반응 챔버(100), 반응 챔버(100)의 내부에 배치되며 플라즈마 발생을 위한 전원이 인가되는 상부 전극(200), 상부 전극(200)에 연결되어 상부 전극(200)의 형상을 조절하는 복수개의 조절부(400); 및 반응 챔버(100)의 내부에 배치되고 기판(10)이 탑재 . 이 장치는 메탈전극, 상기 메탈전극에 연결되는 제 1 부분과 다른 제 2 부분으로 이루어지고 제 1 부분을 통해 상기 메탈전극에 결합된 적어도 하나의 캐필러리를 갖는 캐필러리 유전전극, 상기 메탈전극 및 캐필러리 유전전극의 제 1 부분을 . 가스 도 플라즈마 처리 방법에서는, 연직 방향에 있어서의 포커스 링의 상면의 위치와 기준 위치 사이의 차이를 감소시키도록, 포커스 링 상에 유기막이 형성된다.
(주)제4기텍은 플라즈마 표면처리 장치와 기술을 활용하여 반도체 패키징, Fine … 본 발명은 챔버의 플라즈마 반응공간 사이에 발생되는 플라즈마 밀도를 균일하게 하여 기판 상에 균일한 박막을 형성할 수 있도록 한 플라즈마 처리 장치에 관한 것으로, 플라즈마 처리 장치는 플라즈마 반응공간을 제공하는 챔버; 상기 챔버 내부에 설치되어 기판을 지지하는 기판 지지부재; 상기 .31°이었으나 플라즈마 처리 후의 최소 접촉각 은 산소 분위기의 저압 플라즈마에서 … 본 발명에 따른 플라즈마 처리장치는 기판이 안착되는 서섭터를 구비하는 챔버; 상기 서셉터 상부에 위치하며 복수개의 사각틀 형태가 일체로 형성되는 격자형의 리드 프레임; 상기 리드 프레임의 상부에 설치되는 복수개의 윈도우; 상기 리드 프레임의 상부에 상기 윈도우들 사이에 설치되는 히팅 . 처리실(5)을 형성하는 본체 용기(2)의 측벽(2a)의 내측에 열매체 유로(43)를 마련한 보호 플레이트(41)를 배치하는 동시에, 측벽(2a)의 내면과 보호 플레이트(41 . 본 발명의 플라즈마 처리 장치는 처리실의 가스 도입부로부터 불순물을 제거함으로써 피처리체를 고품질 플라즈마 처리한다. 지지부는, 플라즈마 처리의 대상으로 된 피처리체가 배치되는 배치대를 지지하고, 플라즈마 처리에 이용되는 배선이 배치된다. 플라즈마 처리 방법 .
각각의 샤워 헤드는 그 길이 방향이 제1방향을 따라 배치되고, 샤워 헤드들은 제1방향에 . 본 발명은 플라즈마 처리장치에 관한 것으로, 플라즈마가 발생되는 공정 공간을 형성하는 챔버; 상기 챔버 내에 구비되며, 단면이 가우스 곡선을 이루는 판 형태의 상부 전극; 상기 상부 전극과 대향되는 위치에 구비되며, 기판을 안착하는 하부 전극; 및 상기 상부 전극 및 하부 전극에 서로 다른 . 본 발명은 플라즈마를 이용하여 피 처리체에 막 부착이나 에칭 처리를 하기 위한 챔버를 구비하고, 이 챔버에 마련된 피 처리체를 반입 본 발명은 안테나의 구조를 변경하여 균일한 플라즈마를 제공하기 위한 플라즈마 처리 장치에 관한 것으로서, 챔버; 상기 챔버 외부를 적어도 1회전 이상 환포하며, 전력이 인가되는 인입단과 인가된 전력이 배출되는 접지단을 가지는 적어도 둘 이상의 코일; 및 상기 코일의 인입단에 전력을 . 2023 · PLASMA真空等离子处理仪配备清洗托盘，把样品放在托盘上，样品朝上的一面等离子处理效果明显，样品贴着托盘的一面处理效果不明显，原因是等离子体需要空 … 본 발명은 플라즈마를 발생시켜 피처리 물에 대하여 소정의 처리를 하는 장치에 있어서, 보다 상세하게는 pecvd용 소스를 중심으로 360°의 범위에서 전방위적으로 증착할 수 있는 플라즈마 처리장치에 관한 것이다. 필터부는, 배선의 단부에 접속되고, 배선을 전파하는 노이즈를 감쇠한다. 이러한 특징에 의하면, 기판의 양면 중 어느 일 면을 선택적으로 처리할 수 있을 뿐만 아니라 .
패러데이 오른손 법칙 - 전기기기의 기초와 응용 플라즈마 처리장치가 개시된다. 플라즈마 처리 장치는, 기판에 플라즈마 처리를 실시하는 처리 공간을 내부에 갖는 기판 처리실과, 처리 공간에 무선 주파수 전력을 인가하는 rf 전극과, 처리 공간에 dc 전압을 … 2010 · 분석하였다. 유기막이 형성된 후에, 기판에 대하여 플라즈마 처리가 실행된다. 플라즈마 밀도 내지 플라즈마 처리 특성의 면내 균일성을 향상시킨다. KR20070053168A KR1020067027156A KR20067027156A KR20070053168A KR 20070053168 A KR20070053168 A KR 20070053168A KR 1020067027156 A KR1020067027156 A KR 1020067027156A KR 20067027156 A KR20067027156 A KR … 플라즈마 처리 장치(1)에 있어서, 처리실(3)내의 플라즈마 밀도가 국소적으로 높은 부위에 플라즈마를 실활시키는 칸막이 부재(11)를 설치하여, 피처리 기판(g)에 대한 플라즈마 에칭 속도를 균일화한 것을 특징으로 한다. 본 발명은 플라즈마 처리 장치에 관한 것으로, 기판의 플라즈마 발생영역과 스테이지 사이에 필터부를 두어 이온이 제거된 반응종만을 기판상에 인가하여 플라즈마를 이용한 에싱 공정을 수행할 수 있고, 에싱 공정에 의한 기판 상부 패턴의 손상을 방지할 수 있다.
본 발명에 의하면, 실리콘 기판 표면을 질화 처리함에 있어서, 플라즈마 발생부와 실리콘 기판의 사이에 개구부를 갖는 구획판이 배치되고, 실리콘 기판 표면에 있어서의 전자 밀도가 1e+7(개·㎝ -3 )∼1e+9(개·㎝ -3 )로 되도록 제어된다. 하지만 넘어야 할 산이 많습니다. 플라즈마 처리 장치가 제공된다. 플라즈마원이 가스 공급계에 의해서 공급되는 가스를 여기시킨다. 본 발명에 의한 플라즈마 처리장치는 챔버의 내부에 pecvd용 소스가 구비되는 플라즈마 . H — ELECTRICITY; H01 — ELECTRIC ELEMENTS; H01L — SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10; H01L21/00 — Processes or apparatus adapted for the manufa 본 발명은 파티클의 발생을 방지하여 안정된 처리를 가능하게 하는 플라즈마 처리 장치를 제공하는 것으로, 유도 결합형 플라즈마 발생 장치(30)를 가지는 플라즈마 처리 장치에 있어서, 플라즈마 발생 휴지 시에 유도 결합형 플라즈마 발생 장치(30) 부분의 처리실에 면한 부분의 온도를 소정 온도 . 골칫거리 폐기물, 플라즈마로 태워 없앤다? : 네이버 블로그 고주파 전력 발생부(6)로부터 진공 용기(2) 내에 플라즈마 발생용 마이크로파를 30 Hz 내지 500 Hz의 주파수로 온ㆍ오프하여 단속적으로 공급한다. 유기막, 마스크막 및 레지스트막이 순서대로 적층된 피처리체를 플라즈마에 의해 처리하는 플라즈마 처리 방법으로서, 레지스트막에 정해진 패턴이 형성된 피처리체가 반입된 챔버 내에 h 2 가스, 할로겐화 수소 가스, 또는, 희가스와 h 2 가스 또는 할로겐화 수소 가스를 포함하는 혼합 가스인 개질 . 플라즈마 처리 장치(10)는 내부에서 웨이퍼(W)에 플라즈마 처리가 실시되는 처리 용기(100)와, 고주파를 출력하는 제 1 고주파 전원(140)과, 처리 용기(100)의 외부에서 외측 코일, 내측 코일 및 그 사이에 설치된 n 개(n은 1 이상의 정수 . 플라즈마, 파티클, 식각, Bevel, 링 본 발명은 반응 공간을 제공하는 챔버와, 상기 챔버 내부의 하부에 위치되는 하부 전극 및 상기 하부 전극의 외주면을 둘러싸도록 소정 높이를 가지는 측벽부를 구비하고, 상기 측벽부의 상단부에 기판이 안착되는 플라즈마 감금 . 이어 이번에 200L 드럼을 포함한 다양한 . 본 발명은, 종자가 포함된 배양액에 방전 플라즈마를 발생시켜 종자 및 종자 배양액을 플라즈마 처리 방법에 관한 것이다.
고주파 전력 발생부(6)로부터 진공 용기(2) 내에 플라즈마 발생용 마이크로파를 30 Hz 내지 500 Hz의 주파수로 온ㆍ오프하여 단속적으로 공급한다. 유기막, 마스크막 및 레지스트막이 순서대로 적층된 피처리체를 플라즈마에 의해 처리하는 플라즈마 처리 방법으로서, 레지스트막에 정해진 패턴이 형성된 피처리체가 반입된 챔버 내에 h 2 가스, 할로겐화 수소 가스, 또는, 희가스와 h 2 가스 또는 할로겐화 수소 가스를 포함하는 혼합 가스인 개질 . 플라즈마 처리 장치(10)는 내부에서 웨이퍼(W)에 플라즈마 처리가 실시되는 처리 용기(100)와, 고주파를 출력하는 제 1 고주파 전원(140)과, 처리 용기(100)의 외부에서 외측 코일, 내측 코일 및 그 사이에 설치된 n 개(n은 1 이상의 정수 . 플라즈마, 파티클, 식각, Bevel, 링 본 발명은 반응 공간을 제공하는 챔버와, 상기 챔버 내부의 하부에 위치되는 하부 전극 및 상기 하부 전극의 외주면을 둘러싸도록 소정 높이를 가지는 측벽부를 구비하고, 상기 측벽부의 상단부에 기판이 안착되는 플라즈마 감금 . 이어 이번에 200L 드럼을 포함한 다양한 . 본 발명은, 종자가 포함된 배양액에 방전 플라즈마를 발생시켜 종자 및 종자 배양액을 플라즈마 처리 방법에 관한 것이다.
KR20100041103A - 플라즈마 처리장치 - Google Patents
… 플라즈마 처리 장치는, 지지부와, 필터부와, 승강부를 갖는다. 처리 가스를 플라즈마화시켜 기판을 처리하는 플라즈마 처리 장치(1)에 있어서 . 본 발명은 플라즈마 처리 장치 및 방법을 개시한 것으로서, 플라즈마 방전 전극들 사이에 로딩된 기판의 처리 면에 따라 전극들 사이에 생성된 플라즈마의 방향성을 제어하는 것을 특징으로 가진다. 2018 · Plasma 离子束（也称电浆）是一种目前较常用于治疗各类疤痕的射频类的光电仪器 。虽然它在改善修复一些疤痕的方面有一定的优势，但也不是什么治疗神器，别 … 본 발명의 플라즈마 처리장치는, 피처리기판을 수용하는 챔버와, 상기 챔버내에 처리 가스를 공급하는 가스 공급 장치와, 상기 챔버내에 플라즈마 생성용의 마이크로파를 도입하는 마이크로파 도입 장치를 구비한다. 예시적 실시형태에 관한 플라즈마 처리 장치는, 챔버, 마이크로파 발생기, 안테나, 및 동축 도파로를 구비한다. 피처리체에 플라즈마 처리를 행하는 플라즈마 처리 장치는, 피처리체를 수용하는 처리 용기와, 상기 처리 용기의 상부의 개구부를 밀봉하도록 마련되고, 상기 처리 용기 내에 마이크로파를 투과시키는 유전체창과, 상기 유전체창의 상면에 마련되고, 상기 유전체창에 마이크로파를 방사하기 위한 .
[과제] 단일한 플라즈마 처리 장치를 이용하여, 베이스에 공급되는 고주파의 파워 및 요구되는 기판의 면내 온도 분포가 상이한 복수의 공정을 실행하는 플라즈마 처리 방법을 제공한다. 본 발명의 플라즈마 처리장치는, 플라즈마가 생성되는 공간을 제공하는 반응 챔버; 상기 반응 챔버의 내부에 설치되되, 다수의 기판이 장입되는 기판 트레이; 기판 트레이가 안착되고, 반응 챔버의 내부에서 상하 방향으로 이동 가능하게 마련되는 척; 상기 반응 . 2021 · 플라즈마 밀도와 균일도를 향상시켜 태양전지 제조를 위한 대면적 기판의 처리가 가능한 플라즈마 처리장치가 개시된다. 분말 플라즈마 처리 장치는 분말의 플라즈마 처리를 위한 챔버; 상기 챔버 상부에 위치한 분말 공급부 및 상기 분말 공급부 아래, 그리고 상기 챔버 내에 위치하는 다수의 판형 면방전 플라즈마 모듈을 … 플라즈마 반응기의 최적의 반응조건을 조사하기 위해서 반응가스 (질소, 아르곤, 산소, 공기), 가스의 유량 (30~150 mL/min), 그리고 반응시간 (0~30초) 등을 변화시켜 전처리하여 … 기계적 강도를 유지하면서, 비교적 경량인 기구를 이용하여 금속창을 설치한 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 플라즈마 방전 전력과 반응기체의 유량 증가 본 발명의 플라즈마 처리 장치 및 방법에 의하면 높은 밀도와 균일성을 갖는 플라즈마를 공급할수 있어 피처리 기판을 효율적으로 처리할 수 있다. 이 유도 결합형 플라즈마 처리 장치에서는, 유도 결합 플라즈마를 생성하기 위하여 유전체창(52) 상에 설치되는 rf 안테나(54)가 직경 방향으로 내측 코일(58 .낙향 문 사전 텍본
천판(15)은 그 내부에 반사 부재(23a, 23b)를 구비한다. 처리 용기는, 처리 공간을 구획하고 있다. 본 발명은 미립자의 발생량이 적고, 플라즈마를 피처리체에 균일하게 도입할 수 있는 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 플라즈마 처리 장치는 유전체 벽을 갖는 처리실과, 처리실내에 배치되고 피처리체가 그 위에 탑재된 탑재면을 갖는 탑재대를 포함한다. 2010 · 분석하였다. 본 발명은 플라즈마 처리 장치 및 방법을 개시한 것으로서, 플라즈마를 이용하여 기판상의 증착 공정 및 그 공정을 수행한 장치의 클리닝 공정을 수행함에 있어서, 플라즈마 하전 입자들의 기판 및 기판 지지 부재와의 충돌량을 상이하게 조절하여 증착 공정 및 클리닝 공정을 수행하는 것을 .
12) 플라즈마 공정 시 공정 압력은 5mTorr로 RF 파워는 200W로 고정하였고, 플라즈마 공정 변수로는 혼합 가스 분압의 비와 플라즈마 처리시간으로 하였으며, 각 플라즈마 처리 … 플라즈마 처리 장치 Download PDF Info Publication number KR20160030812A. 플라즈마 처리 전의 폴리카보네이트의 탈이온수의 접촉각은 82. 2015 · Plasma清洗原理1. 에칭 장치(100)의 처리실(102) 내에는 한 쌍의 상부 및 하부 전극(118, 106)이 배치되어 있다. (해결 수단) 플라즈마 처리 장치(10)는, 웨이퍼 w를 수용하여 에칭 처리를 실시하는 수용실(11)과, 수용실(11) 내의 처리 공간 ps에 고주파 전력을 공급하는 서셉터(12)와, 처리 공간 ps에 직류 전압을 인가하는 상부 전극판(39)과, 배기 유로(18)에 마련되는 접지 링(45)과 . 유도 결합형의 플라즈마 처리에서 챔버 내에 형성되는 도너츠 형상 플라즈마 내의 플라즈마 밀도 분포를 효율적으로 임의로 제어하는 것이다.
본 발명에 관련된 플라즈마 처리장치(10)는, 진공용기(11)와, 진공용기(11)의 내부공간(111)에 돌출하도록 설치된 안테나(플라즈마 생성수단) 지지부(12)와, 안테나 지지부(12)에 장착된 . KR100978166B1 KR1020087018681A KR20087018681A KR100978166B1 KR 100978166 B1 KR100978166 B1 KR 100978166B1 KR 1020087018681 A KR1020087018681 A KR 1020087018681A KR 20087018681 A KR20087018681 A KR 20087018681A KR … 일 실시형태의 플라즈마 처리 장치에서는, 가스 공급계가 처리 용기 내에 가스를 공급한다. 본 발명에 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치(1)는 상호 독립적으로 배치되는 제1 챔버(110)와 제2 챔버(120)를 가지며, 기판(10)이 투입되어 플라즈마 처리되는 단위 챔버 어셈블리(100); 및 절곡된 형태를 가지며 제1 챔버(110) 및 제2 챔버(120)에 플라즈마를 발생시키는 . 액상의 피처리 대상물을 플라즈마 생성물로 처리하기 위한 플라즈마 처리장치는, 피처리 대상물과 분리된 기체 유입구 및 피처리 대상물과 연통된 기체 배출구가 형성되는 유전체관, 피처리 대상물로부터 격리되게 유전체관 내측에 배치되는 코어전극, 및 기체 유입구로 기체를 공급하는 기체 . 진공 분위기로 유지되는 챔버(1)와, 챔버(1) 내에 서로 평행하게 배치된 제 1 및 제 2 전극(2, 18)과, 제 1 및 제 2 전극(2, 18)의 사이에 고주파 전계를 형성하여 . 본 발명은, 종자가 포함된 배양액에 방전 플라즈마를 발생시켜 종자 및 종자 배양액을 플라즈마 처리 방법에 관한 것이다. 표면파 플라즈마원에 있어서의 출력부로부터 출력된 마이크로파를 처리 용기 내에 방사하는 복수의 마이크로파 방사 기구를 갖는 플라즈마 처리 장치로서, 기판에 플라즈마 처리를 행하지 않는 동안, 기판에 플라즈마 처리를 행할 . 플라즈 처리 장치는, 처리 용기와, 처리 용기 내에 설치되고, 기판이 배치되는 배치대와, 배치대에 대향하여 처리 용기에 부착되고, 플라즈마를 생성하기 위한 전자 . 본 발명에 의하면, 처리 용기 내에 레어 가스 및 h 2 가스를 공급하면서 처리 용기 내에 플라즈마를 생성하여 상기 플라즈마를 금속 또는 금속 화합물의 막 표면에 형성된 자연 산화막에 작용시키기 때문에, 플라즈마 중의 활성 수소가 자연 산화막을 환원하는 . 본 발명은 플라즈마 처리 장치 및 방법을 개시한 것으로서, 반응기와 유도 결합형 플라즈마 안테나의 사이에 유전체를 개재시키고, 유도 결합형 플라즈마 안테나를 유전체에 밀착 배치함으로써, 유도 결합형 플라즈마 안테나에 낮은 알에프 파워를 인가하여 플라즈마를 발생할 수 있다. [해결수단] 일실시형태의 플라즈마 처리 방법의 플라즈마 처리 방법은, 챔버 내에 있어서 기판에 제1 플라즈마 . 진공 용기(2) 내에서, 웨이퍼(10)와 대향하는 영역을 둘러싸도록 가스 공급부(51)를 설치하여 여기에서부터 웨이퍼(10)를 향해 처리 가스가 분출하도록 한다. 20 게이머를 위한 Turing GeForce 뉴스 - 2060 성능 본 발명은 플라즈마 처리장치에 관한 것으로, 플라즈마가 발생되는 공정 공간을 형성하는 챔버; 상기 챔버 내에 구비되며, 단면이 가우스 곡선을 이루는 판 형태의 상부 전극; 상기 챔버 내의 상기 상부 전극과 대향되는 위치에 구비되며, 기판을 안착하는 하부 전극; 및 상기 상부 전극에 서로 다른 . 일 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치는, 처리 용기, 가스 공급부, 하부 전극 및 상부 전극을 구비하고 있다. 평판형의 코일로 된 안테나가 웨이퍼 본 발명은 플라즈마 처리 장치에 관한 것으로, 플라즈마를 이용한 소정의 처리가 이루어지는 반응챔버와, 상기 플라즈마를 이용한 소정의 처리의 대상물이 장착되는 스테이지와, 상기 플라즈마를 유도하는 파워를 인가하는 전원 공급부와 조합되고 상기 반응챔버의 중앙부로부터 가장자리쪽으로 . 하부 전극은, 처리 공간의 아래쪽에 마련되어 있다. 선택적 플라즈마 처리 방법은, 플라즈마 처리 장치의 처리실 내에서, 표면에 실리콘과 질화실리콘층을 가지는 피 처리체에 대하여 산소함유 플라즈마를 작용시켜 실리콘을 선택적으로 산화 처리하여, 형성되는 실리콘 산화막의 막두께에 대하여, 질화실리콘층 안에 형성되는 실리콘산질화막의 . 본 발명은 플라즈마 처리 방법 및 장치에 관한 것으로, 기판 처리 공정 종료 후 불활성 가스를 챔버 내로 인입하고, 챔버 내의 압력을 유지하는 단계와, 정전 흡착시 가해지는 전압과 반대 극성의 직류 전압을 인가하는 단계와, 기판을 정전척으로부터 분리시키는 단계로 구성된다. KR101002513B1 - 플라즈마 처리 장치 - Google Patents
본 발명은 플라즈마 처리장치에 관한 것으로, 플라즈마가 발생되는 공정 공간을 형성하는 챔버; 상기 챔버 내에 구비되며, 단면이 가우스 곡선을 이루는 판 형태의 상부 전극; 상기 챔버 내의 상기 상부 전극과 대향되는 위치에 구비되며, 기판을 안착하는 하부 전극; 및 상기 상부 전극에 서로 다른 . 일 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치는, 처리 용기, 가스 공급부, 하부 전극 및 상부 전극을 구비하고 있다. 평판형의 코일로 된 안테나가 웨이퍼 본 발명은 플라즈마 처리 장치에 관한 것으로, 플라즈마를 이용한 소정의 처리가 이루어지는 반응챔버와, 상기 플라즈마를 이용한 소정의 처리의 대상물이 장착되는 스테이지와, 상기 플라즈마를 유도하는 파워를 인가하는 전원 공급부와 조합되고 상기 반응챔버의 중앙부로부터 가장자리쪽으로 . 하부 전극은, 처리 공간의 아래쪽에 마련되어 있다. 선택적 플라즈마 처리 방법은, 플라즈마 처리 장치의 처리실 내에서, 표면에 실리콘과 질화실리콘층을 가지는 피 처리체에 대하여 산소함유 플라즈마를 작용시켜 실리콘을 선택적으로 산화 처리하여, 형성되는 실리콘 산화막의 막두께에 대하여, 질화실리콘층 안에 형성되는 실리콘산질화막의 . 본 발명은 플라즈마 처리 방법 및 장치에 관한 것으로, 기판 처리 공정 종료 후 불활성 가스를 챔버 내로 인입하고, 챔버 내의 압력을 유지하는 단계와, 정전 흡착시 가해지는 전압과 반대 극성의 직류 전압을 인가하는 단계와, 기판을 정전척으로부터 분리시키는 단계로 구성된다.
테니스 벽치기 [과제] 불안정한 방전을 억제하는 기술을 제공하는 것. 플라즈마 처리의 면내 균일성이 높고, 또한 차지업 손상이 발생하기 어려운 용량 결합 용량 결합형의 플라즈마 처리 장치를 제공하는 것이다. 플라즈마 발생 수단과, 피처리 기판에 대하여 플라즈마 처리를 행하기 위한 처리실을 구획하는 처리 용기와, 처리 용기 내에서 피처리 기판을 얹어 놓는 기판 유지대와, 처리 용기 내를 감압하기 위한 배기 수단을 포함한 플라즈마 처리 장치(100)에 있어서, 마이크로파 투과판(28)을 지지하는 지지부(27 . 플라즈마 처리장치는 프로세스 챔버, 상기 프로세스 챔버 내에 구비되어 기판이 안착되는 서셉터, 상기 서셉터 상부에 구비되어 유도결합 방식(inductively coupled plasma, ICP)으로 . 바이어스 전원이, 기판 지지기에 이온을 인입하기 위하여, 펄스상의 음극성의 직류 전압을 주기적으로 하부 전극에 인가한다. 동축 도파로는, 마이크로파 발생기로부터 출력되는 마이크로파를 마이크로파 발생기와 안테나의 사이에서 전파하도록 .
천판(15)은 그 내부에 반사 부재(23a, 23b)를 구비한다. [해결 수단] 플라즈마 처리 장치는, 기판이 탑재되는 탑재대가 내부에 마련되고, 기판에 대한 플라즈마 처리가 실시되는 처리실과, 탑재대에 바이어스용의 고주파 전력을 인가하는 고주파 전원과, 도전성 재료로 이루어지고, 접지 전위에 . 플라즈마 표면처리 기술은 우리 생활 곳곳에서 쉽게 찾을 수 있는데요. 본 발명은, 플라즈마를 안정적이면서도 효율적으로 발생시킬 수 있어, 기재의 원하는 피처리 영역 전체를 단시간에 효율적으로 처리할 수 있는 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 해결해야 할 기술적 난제는 무엇일까요? 또 기존의 플라즈마 폐기물 처리 방식과는 ….본 발명은 반도체 기판 에지 영역에 퇴적되는 박막 또는 파티클을 제거할 수 있는 플라즈마 처리 방법에 관한 것으로서, 플라즈마 처리 장치 내의 기판 지지대 상에 기판의 중심 영역을 안착시키는 단계; 상기 플라즈마 처리 장치 내에 공정 가스를 유입하는 단계; 상기 플라즈마 처리 장치 내에 .
KR101428525B1 - 수중 종자 플라즈마 처리 방법 - Google Patents 수중 종자 플라즈마 처리 방법 Download PDF Info Publication number KR101428525B1 . 즉 본 발명은, 로드락 챔버, 반송 챔버 및 공정 챔버로 이루어지고, 각 챔버 사이에는 각 챔버를 단속하는 게이트 밸브가 구비되는 플라즈마 처리장치에 .17°의 최소 접촉각을 얻을 수 있었다 . 배플판(28)을 흐르는 리턴 전류는 챔버(2)의 천정(2b)을 . 본 발명은 플라즈마 처리장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반송 챔버에서 플라즈마가 기생하지 않는 플라즈마 처리장치에 관한 것이다. 본 발명은 솔라셀(solar cell) 등과 같은 전자 소자를 제조하기 위해 기판 상에 박막을 형성하는 플라즈마 강화 화학 기상 증착 장치를 제공한다. PLASMA原理 - 百度文库
[해결수단] 플라즈마 처리 장치는, 일단부에 개구부(11)가 형성되어, 내부에 프로세스 가스가 도입되는 통형 전극(10)과, 통형 전극(10)에 대하여 전압을 인가하는 rf 전원(15)과, 워크(w)를 반송하여 개구부(11)의 . 본 발명은 플라즈마 토출구가 하측 및 측방으로 돌출되어 곡면 형상의 피처리물에 대해서도 효과적으로 대응할 수 있는 곡면 처리용 플라즈마 처리장치에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 곡면 처리용 플라즈마 처리장치는, 다수의 관통홀이 형성되어 있는 평면형의 유전체 베이스 전극; 상기 유전체 . 본 발명의 플라즈마 처리 장치는, 기밀한 처리실과, 상기 처리실내에 승강이 자유롭게 설치되며 피처리체가 탑재되는 탑재부를 갖는 하부 전극과, 하부 전극에 고주파 전력을 공급하는 전력 공급계와, 하부 전극을 승강 구동하는 승강 기구와, 승강 기구를 근접 거리에서 실질적으로 둘러싸며 . 2010 · 신개념의 플라즈마 폐기물 소각로 개발로 깨끗한 환경 조성에 기여한다는 방침인데요. 이 챔버(1)는, 대략 원통형을 한 하우징(2)과, 하우징(2)에 상부로부터 접합되어서 처리 공간을 둘러싸는 원통형을 한 챔버 월(3)에 의해 구성되는 분할 . Plasma with RF clean 原理.계정 고르려는 뉴비 질문이 있는데 슈퍼로봇대전 Dd 마이너 갤러리
스마트폰만 하더라도 핵심 부품인 저장매체, 반도체, 디스플레이 등의 제작을 위해 저압의 플라즈마로 표면처리를 하는 공정이 필수적입니다. 본 발명은 무선 주파수 전원에 접속되는 유도 코일의 일측 단자, 개방 단부인 유도 코일의 타측 단자, 및 유도 코일의 실질적인 중심 . 본 발명은 플라즈마 처리장치에 관한 것으로, 플라즈마가 발생되는 공정 공간을 형성하는 챔버; 상기 챔버 내에 구비되며, 다수개의 바(bar)가 사다리(ladder) 형태로 연결되고 상기 바(bar) 각각은 길이 방향으로 가우스 곡선 모양을 가지는 상부 전극; 상기 챔버 내의 상기 상부 전극과 대향되는 위치에 . 안테나는, 챔버 내에 마이크로파를 방사하도록 구성되어 있다. 플라즈마 처리 장치(1)는, 마이크로파를 전송하는 도파관(5)과, 마이크로파 원으로부터 도파관(5)을 통해 마이크로파를 방사하는 안테나(4)와, 안테나(4)로부터 방사되는 마이크로파를 전파하여 플라즈마 처리 용기(1)의 내부에 … 본 발명은 온도 조절 설비를 간소화하면서, 처리 용기 내에서의 부착물이나 아킹의 발생을 방지할 수 있는 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 지지 구조체가 처리 용기 내에서 피처리체를 유지한다.
真空等离子处理是要把材料放入真空腔内进行处理，选择真空腔尺寸的参考因素是材料的大小和批处理的数量， 一般科研型的真空等离子处理仪的腔体 … 플라즈마 에칭 장치(2)는 처리 용기(4)내에 가스 배출 구멍(36)으로부터 불활성 가스와 반응성 가스를 공급함과 동시에, 이들 가스를 고주파 방전을 통해 플라즈마 상태로 하고, 이 플라즈마를 이용해서 서셉터(8)상의 반도체 웨이퍼 w에 대해 에칭을 행한다. 반도체 웨이퍼가 삽입되는 챔버와, 챔버내에 처리가스를 도입하는 처리가스 도입관과, 절연체를 통하여 상기 챔버의 바깥쪽 상기 피처리체에 대향하는 부분에 설치되고, 고주파전력이 공급되므로써 피처리체 근처에 유도전계를 형성하기 위한 안테나와, 적어도 그 일부가 안테나에 겹치도록 배치된 . (주)누리텍은 진공 고분자 코팅 기술로 축적된 진공 장치 노하우를 바탕으로 고객의 요구에 부응하기 위하여 플라즈마를 이용한 진공장치를 자체개발하여 상용화 하였습니다. 제 1 방향성 결합기에는 제 1 검출기가 접속되어 있다. 예시적 실시형태의 플라즈마 처리 장치에서는, 고주파 전원이, 플라즈마의 생성을 위하여 고주파 전력을 발생시킨다. 일실시 형태에 있어서의 플라즈마 처리 장치에서는, 마이크로파 생성부와 서큘레이터의 제 1 포트를 접속시키는 제 1 도파관에 제 1 방향성 결합기가 마련되어 있다.
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