본 발명은, 플라즈마를 안정적이면서도 효율적으로 발생시킬 수 있어, 기재의 원하는 피처리 영역 전체를 단시간에 효율적으로 처리할 수 있는 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 플라즈 처리 장치는, 처리 용기와, 처리 용기 내에 설치되고, 기판이 배치되는 배치대와, 배치대에 대향하여 처리 용기에 부착되고, 플라즈마를 생성하기 위한 전자 . 본 발명은 미립자의 발생량이 적고, 플라즈마를 피처리체에 균일하게 도입할 수 있는 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 배플판(28)은 챔버(2)의 상부에 플라즈마를 밀폐시키는 동시에, 고주파 전원(27)으로의 리턴 전류의 리턴 경로를 구성한다. 본 발명은 플라즈마 처리 장치 및 방법을 개시한 것으로서, 플라즈마를 이용하여 기판상의 증착 공정 및 그 공정을 수행한 장치의 클리닝 공정을 수행함에 있어서, 플라즈마 하전 입자들의 기판 및 기판 지지 부재와의 충돌량을 상이하게 조절하여 증착 공정 및 클리닝 공정을 수행하는 것을 . 본 발명에 의한 플라즈마 처리장치는 챔버의 내부에 스퍼터 건이 구비되는 . 이 유도 결합형 플라즈마 처리 장치에서는, 유도 결합 플라즈마를 생성하기 위하여 유전체창(52) 상에 설치되는 rf 안테나(54)가 직경 방향으로 내측 코일(58 . 각각의 샤워 헤드는 그 길이 방향이 제1방향을 따라 배치되고, 샤워 헤드들은 제1방향에 . 의료용 플라즈마 처리 장치는 플라즈마의 발생을 위한 전극 모듈이 배치된 방전 모듈(11); 방전 모듈(11)의 내부로 방전 기체를 주입하는 유도 튜브(12); 및 방전 모듈(11)의 내부로 처리 소재를 주입하는 방전 튜브(13)를 포함하고, 전극 모듈은 속이 빈 유전체 소재로 . [과제] 절연물이 포함되는 워크를 처리하는 경우라도, 플라즈마 방전을 안정화시킨다.17°의 최소 접촉각을 얻을 수 있었다 . (주)제4기텍은 플라즈마 표면처리 장치와 기술을 활용하여 반도체 패키징, Fine … 본 발명은 챔버의 플라즈마 반응공간 사이에 발생되는 플라즈마 밀도를 균일하게 하여 기판 상에 균일한 박막을 형성할 수 있도록 한 플라즈마 처리 장치에 관한 것으로, 플라즈마 처리 장치는 플라즈마 반응공간을 제공하는 챔버; 상기 챔버 내부에 설치되어 기판을 지지하는 기판 지지부재; 상기 .
플라즈마 산화 처리 장치는, 피처리체를 수용하고, 내부에서 플라즈마 처리를 행하는 진공 유지 가능한 처리 용기와, 처리 용기 내에서 피처리체를 탑재하는 탑재대와, 복수의 슬롯을 갖고, 상기 처리 용기 내에 마이크로파를 도입하는 평면 안테나와, 처리 용기 내에 처리 가스를 도입하는 가스 도입 . 저온/상압 플라즈마 표면처리 기술 과제의 2단계 사업의 주요내용은 1단계에서 확보된 상압 플라즈마 기술과 저온 플라즈마 방전 기술을 토대로 실제 공정에 적용하여 공정 단축 및 … 본 발명은, 플라즈마 처리 장치로서, 진공 상태에서 대상물에 대해 플라즈마 처리를 하는 반응부와, 상기 대상물을 놓는 트레이를 구비한 지그와, 상기 트레이가 상기 반응부로 이동되도록 상기 지그를 수평으로 이동시키는 수평 이송부와, 상기 수평 이송부와 이격되어 배치되고, 상기 반응부로 . 지지부는, 플라즈마 처리의 대상으로 된 피처리체가 배치되는 배치대를 지지하고, 플라즈마 처리에 이용되는 배선이 배치된다. 플라즈마 처리의 면내 균일성이 높고, 또한 차지업 손상이 발생하기 어려운 용량 결합 용량 결합형의 플라즈마 처리 장치를 제공하는 것이다. 12) 플라즈마 공정 시 공정 압력은 5mTorr로 RF 파워는 200W로 고정하였고, 플라즈마 공정 변수로는 혼합 가스 분압의 비와 플라즈마 처리시간으로 하였으며, 각 플라즈마 처리 … 플라즈마 처리 장치 Download PDF Info Publication number KR20160030812A. 또한 이중으로 플라즈마를 발생시키기 때문에 한번에 방전되지 못한 방전 가스를 완전하게 방전시키며 유지할 .
플라즈마 처리 장치는, 기판에 플라즈마 처리를 실시하는 처리 공간을 내부에 갖는 기판 처리실과, 처리 공간에 무선 주파수 전력을 인가하는 rf 전극과, 처리 공간에 dc 전압을 … 2010 · 분석하였다. 스마트폰만 하더라도 핵심 부품인 저장매체, 반도체, 디스플레이 등의 제작을 위해 저압의 플라즈마로 표면처리를 하는 공정이 필수적입니다. 본 발명은 소정의 박막 패턴을 갖는 소자가 형성된 웨이퍼와 같은 기판의 배면에 형성된 각종 이물질을 제거하기 위한 플라즈마 처리 장치에 관한 것으로서, 제1가스가 분사되는 제1전극; 상기 제1전극과 상호 이격되어 기판을 지지하는 기판 지지대; 및 상기 기판 지지대와 이격배치되며, 전원이 . 이 장치는 메탈전극, 상기 메탈전극에 연결되는 제 1 부분과 다른 제 2 부분으로 이루어지고 제 1 부분을 통해 상기 메탈전극에 결합된 적어도 하나의 캐필러리를 갖는 캐필러리 유전전극, 상기 메탈전극 및 캐필러리 유전전극의 제 1 부분을 . 2023 · PLASMA真空等离子处理仪配备清洗托盘，把样品放在托盘上，样品朝上的一面等离子处理效果明显，样品贴着托盘的一面处理效果不明显，原因是等离子体需要空 … 본 발명은 플라즈마를 발생시켜 피처리 물에 대하여 소정의 처리를 하는 장치에 있어서, 보다 상세하게는 pecvd용 소스를 중심으로 360°의 범위에서 전방위적으로 증착할 수 있는 플라즈마 처리장치에 관한 것이다. 폐기물의 플라즈마를 이용한 열분해-가스화-용융 처리공정은 청정연료 형태로 정화된 합성가스 를 얻을 수 있고, 이 합성가스를 WGS 반응 과 PSA 공법 을 이용하면 고순도 … 2021 · 본 발명에 따른 플라즈마 처리장치는 플라즈마가 발생되는 공정공간을 형성하는 챔버와, 상기 챔버 내에 구비되며, 기판을 지지하는 하부전극과, 상기 하부전극에 연결되어 rf 전원을 인가하는 전원부 및 상기 하부전극의 표면을 따라 흐르는 상기 rf 전원의 경로를 조절할 수 있도록 상기 하부전극의 .
하노이 렌트카 가격 본 발명은 플라즈마 처리장치에 관한 것으로, 플라즈마가 발생되는 공정 공간을 형성하는 챔버; 상기 챔버 내에 구비되며, 단면이 가우스 곡선을 이루는 판 형태의 상부 전극; 상기 챔버 내의 상기 상부 전극과 대향되는 위치에 구비되며, 기판을 안착하는 하부 전극; 및 상기 상부 전극에 서로 다른 . 본 발명은 솔라셀(solar cell) 등과 같은 전자 소자를 제조하기 위해 기판 상에 박막을 형성하는 플라즈마 강화 화학 기상 증착 장치를 제공한다. KR20070053168A KR1020067027156A KR20067027156A KR20070053168A KR 20070053168 A KR20070053168 A KR 20070053168A KR 1020067027156 A KR1020067027156 A KR 1020067027156A KR 20067027156 A KR20067027156 A KR … 플라즈마 처리 장치(1)에 있어서, 처리실(3)내의 플라즈마 밀도가 국소적으로 높은 부위에 플라즈마를 실활시키는 칸막이 부재(11)를 설치하여, 피처리 기판(g)에 대한 플라즈마 에칭 속도를 균일화한 것을 특징으로 한다. 진공 용기(2) 내에서, 웨이퍼(10)와 대향하는 영역을 둘러싸도록 가스 공급부(51)를 설치하여 여기에서부터 웨이퍼(10)를 향해 처리 가스가 분출하도록 한다. 제 1 방향성 결합기에는 제 1 검출기가 접속되어 있다. 플라즈마 처리 방법 .
플라즈마 처리 장치 Download PDF Info Publication number KR20070053168A. KR100978166B1 KR1020087018681A KR20087018681A KR100978166B1 KR 100978166 B1 KR100978166 B1 KR 100978166B1 KR 1020087018681 A KR1020087018681 A KR 1020087018681A KR 20087018681 A KR20087018681 A KR 20087018681A KR … 일 실시형태의 플라즈마 처리 장치에서는, 가스 공급계가 처리 용기 내에 가스를 공급한다. 이어 이번에 200L 드럼을 포함한 다양한 . 플라즈마 처리 장치(10)는 내부에서 웨이퍼(W)에 플라즈마 처리가 실시되는 처리 용기(100)와, 고주파를 출력하는 제 1 고주파 전원(140)과, 처리 용기(100)의 외부에서 외측 코일, 내측 코일 및 그 사이에 설치된 n 개(n은 1 이상의 정수 . 플라즈마 처리 장치가 제공된다. 본 발명은 플라즈마를 이용하여 피 처리체에 막 부착이나 에칭 처리를 하기 위한 챔버를 구비하고, 이 챔버에 마련된 피 처리체를 반입 본 발명은 안테나의 구조를 변경하여 균일한 플라즈마를 제공하기 위한 플라즈마 처리 장치에 관한 것으로서, 챔버; 상기 챔버 외부를 적어도 1회전 이상 환포하며, 전력이 인가되는 인입단과 인가된 전력이 배출되는 접지단을 가지는 적어도 둘 이상의 코일; 및 상기 코일의 인입단에 전력을 . 골칫거리 폐기물, 플라즈마로 태워 없앤다? : 네이버 블로그 본 발명은, 가스 노즐에 있어서 이상 방전을 방지하는 것을 목적으로 한다. 도시 쓰레기처리, 금속 폐기물의 정련, 연소 후 발생되는 유해가스나 유기용매의 처리 등에 플라즈마를 이용하는 연구가 진행되고 있다. 고주파 전력 발생부(6)로부터 진공 용기(2) 내에 플라즈마 발생용 마이크로파를 30 Hz 내지 500 Hz의 주파수로 온ㆍ오프하여 단속적으로 공급한다. 본 발명은 플라즈마 처리장치에 관한 것으로, 플라즈마가 발생되는 공정 공간을 형성하는 챔버; 상기 챔버 내에 구비되며, 단면이 가우스 곡선을 이루는 판 형태의 상부 전극; 상기 상부 전극과 대향되는 위치에 구비되며, 기판을 안착하는 하부 전극; 및 상기 상부 전극 및 하부 전극에 서로 다른 . 본 발명의 장치는 샤워 헤드들이 복수 개가 분리되어 제공된다. 所谓等离子即是部分离子化的气体。.
본 발명은, 가스 노즐에 있어서 이상 방전을 방지하는 것을 목적으로 한다. 도시 쓰레기처리, 금속 폐기물의 정련, 연소 후 발생되는 유해가스나 유기용매의 처리 등에 플라즈마를 이용하는 연구가 진행되고 있다. 고주파 전력 발생부(6)로부터 진공 용기(2) 내에 플라즈마 발생용 마이크로파를 30 Hz 내지 500 Hz의 주파수로 온ㆍ오프하여 단속적으로 공급한다. 본 발명은 플라즈마 처리장치에 관한 것으로, 플라즈마가 발생되는 공정 공간을 형성하는 챔버; 상기 챔버 내에 구비되며, 단면이 가우스 곡선을 이루는 판 형태의 상부 전극; 상기 상부 전극과 대향되는 위치에 구비되며, 기판을 안착하는 하부 전극; 및 상기 상부 전극 및 하부 전극에 서로 다른 . 본 발명의 장치는 샤워 헤드들이 복수 개가 분리되어 제공된다. 所谓等离子即是部分离子化的气体。.
KR20100041103A - 플라즈마 처리장치 - Google Patents
· 플라즈마 디스미어, 플라즈마 클리닝, 플라즈마 표면처리, 코팅 (PVD) 전문 업체. 본 발명의 플라즈마 처리장치는, 플라즈마가 생성되는 공간을 제공하는 반응챔버; 반응챔버의 상부에 마련되어 플라즈마를 생성시키는 전기장을 유도하는 안테나 모듈; 및 반응챔버와 안테나 모듈 사이에 배치되는 절연판을 포함하고, 안테나 모듈은, 절연판의 . 플라즈마 처리 전의 폴리카보네이트의 탈이온수의 접촉각은 82. 액상의 피처리 대상물을 플라즈마 생성물로 처리하기 위한 플라즈마 처리장치는, 피처리 대상물과 분리된 기체 유입구 및 피처리 대상물과 연통된 기체 배출구가 형성되는 유전체관, 피처리 대상물로부터 격리되게 유전체관 내측에 배치되는 코어전극, 및 기체 유입구로 기체를 공급하는 기체 . 2018 · Plasma 离子束（也称电浆）是一种目前较常用于治疗各类疤痕的射频类的光电仪器 。虽然它在改善修复一些疤痕的方面有一定的优势，但也不是什么治疗神器，别 … 본 발명의 플라즈마 처리장치는, 피처리기판을 수용하는 챔버와, 상기 챔버내에 처리 가스를 공급하는 가스 공급 장치와, 상기 챔버내에 플라즈마 생성용의 마이크로파를 도입하는 마이크로파 도입 장치를 구비한다. 동축 도파로는, 마이크로파 발생기로부터 출력되는 마이크로파를 마이크로파 발생기와 안테나의 사이에서 전파하도록 .
플라즈마 처리 장치는 플라즈마 처리 공정이 진행되는 공정 챔버, 공정 챔버 내에 위치하며 기판이 안착되는 척 및 척의 하부에 위치하며, 다수개의 가스홀을 구비한 배플을 포함하여 척의 하면에 건조 가스를 균일하게 공급하는 척 건조 장치를 포함한다. 플라즈마 밀도 내지 플라즈마 처리 특성의 면내 균일성을 향상시킨다. 진공 배기된 처리 공간(100) 내에서 피처리 기판(g)에 대해서 플라즈마 처리를 실행하는 플라즈마 처리 장치(1)에 있어서, 금속제 처리 용기(10)는 피처리 기판(g)의 탑재대를 구비하고, 그 . 본 발명은 플라즈마 토출구가 하측 및 측방으로 돌출되어 곡면 형상의 피처리물에 대해서도 효과적으로 대응할 수 있는 곡면 처리용 플라즈마 처리장치에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 곡면 처리용 플라즈마 처리장치는, 다수의 관통홀이 형성되어 있는 평면형의 유전체 베이스 전극; 상기 유전체 . fPLASMA作用原理說明. 플라즈마 처리 장치는 유전체 벽을 갖는 처리실과, 처리실내에 배치되고 피처리체가 그 위에 탑재된 탑재면을 갖는 탑재대를 포함한다.케일 칼바람
플라즈마 처리 장치가 개시된다. 본 발명은 플라즈마 처리 장치 및 이를 이용한 방법에 관한 것으로서, 특히, 플라즈마 처리에 따른 특성(유기물 제거, 가교반응, 식각반응, 표면화학반응에 의한 구조변화, 살균효과, 젖음성, 접착성, 결합성, 색체 적합성, 표면 강화, 표면 열저항성의 개질, 살균, 유해 단백질 / 박테리아 제거 등)을 . … 플라즈마 처리 장치는, 지지부와, 필터부와, 승강부를 갖는다. 2010 · 신개념의 플라즈마 폐기물 소각로 개발로 깨끗한 환경 조성에 기여한다는 방침인데요. H — ELECTRICITY; H01 — ELECTRIC ELEMENTS; H01L — SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10; H01L21/00 — Processes or apparatus adapted for the manufa 본 발명은 파티클의 발생을 방지하여 안정된 처리를 가능하게 하는 플라즈마 처리 장치를 제공하는 것으로, 유도 결합형 플라즈마 발생 장치(30)를 가지는 플라즈마 처리 장치에 있어서, 플라즈마 발생 휴지 시에 유도 결합형 플라즈마 발생 장치(30) 부분의 처리실에 면한 부분의 온도를 소정 온도 . 유기막, 마스크막 및 레지스트막이 순서대로 적층된 피처리체를 플라즈마에 의해 처리하는 플라즈마 처리 방법으로서, 레지스트막에 정해진 패턴이 형성된 피처리체가 반입된 챔버 내에 h 2 가스, 할로겐화 수소 가스, 또는, 희가스와 h 2 가스 또는 할로겐화 수소 가스를 포함하는 혼합 가스인 개질 .
지지 구조체는 피처리체를 회전 가능하며 또한 경사 가능하게 지지하도록 구성되어 . 플라즈마 처리 장치(100)는, 기밀하게 구성되고, 접지된 대략 원통형의 챔버(1)를 갖고 있고, 챔버(1)의 상부에는, 안테나 부재(30)가 배치되어 있다. [해결수단] 플라즈마 처리 장치는, 일단부에 개구부(11)가 형성되어, 내부에 프로세스 가스가 도입되는 통형 전극(10)과, 통형 전극(10)에 대하여 전압을 인가하는 rf 전원(15)과, 워크(w)를 반송하여 개구부(11)의 . 플라즈마 처리 장치는 플라즈마 처리를 내부에서 실행하기 위한 챔버(1)와, 이 챔버(1)의 상측을 막는 유전체로 이루어지는 천판(15)과, 이 천판(15)을 거쳐 고주파를 챔버(1) 내에 공급하는 고주파 공급 수단으로서의 안테나부(3)를 구비한다. 본 발명에 의하면, 실리콘 기판 표면을 질화 처리함에 있어서, 플라즈마 발생부와 실리콘 기판의 사이에 개구부를 갖는 구획판이 배치되고, 실리콘 기판 표면에 있어서의 전자 밀도가 1e+7(개·㎝ -3 )∼1e+9(개·㎝ -3 )로 되도록 제어된다.31°이었으나 플라즈마 처리 후의 최소 접촉각 은 산소 분위기의 저압 플라즈마에서 … 본 발명에 따른 플라즈마 처리장치는 기판이 안착되는 서섭터를 구비하는 챔버; 상기 서셉터 상부에 위치하며 복수개의 사각틀 형태가 일체로 형성되는 격자형의 리드 프레임; 상기 리드 프레임의 상부에 설치되는 복수개의 윈도우; 상기 리드 프레임의 상부에 상기 윈도우들 사이에 설치되는 히팅 .
[과제] 단일한 플라즈마 처리 장치를 이용하여, 베이스에 공급되는 고주파의 파워 및 요구되는 기판의 면내 온도 분포가 상이한 복수의 공정을 실행하는 플라즈마 처리 방법을 제공한다. 플라즈마 처리장치가 개시된다. 본 발명은 플라즈마 처리장치에 관한 것으로, 플라즈마가 발생되는 공정 공간을 형성하는 챔버; 상기 챔버 내에 구비되며, 다수개의 바(bar)가 사다리(ladder) 형태로 연결되고 상기 바(bar) 각각은 길이 방향으로 가우스 곡선 모양을 가지는 상부 전극; 상기 챔버 내의 상기 상부 전극과 대향되는 위치에 .31°이었으나 플라즈마 처리 후의 최소 접촉각 은 산소 분위기의 저압 플라즈마에서 9. 2023 · 材料的大小. 천판(15)은 그 내부에 반사 부재(23a, 23b)를 구비한다. 하지만 넘어야 할 산이 많습니다. 악취물질 중 NH 3 (암모니아), H 2 S ( 황화수소 ), C 6 H 6 ( 벤젠 )은 석유화학공장, 공공하수처리시설 및 분뇨처리시설, 가축분뇨 처리시설, 폐기물 처리시설과 음식물류 … 본 발명은, 동시에 복수의 기판에 대하여 플라즈마 처리를 행하는 플라즈마 처리 장치에 있어서, 배치대 상의 복수의 기판에 대하여 균일한 플라즈마 분포를 실현하여, 처리의 균일성을 향상시키는 것을 목적으로 한다. 본 발명에 관련된 플라즈마 처리장치(10)는, 진공용기(11)와, 진공용기(11)의 내부공간(111)에 돌출하도록 설치된 안테나(플라즈마 생성수단) 지지부(12)와, 안테나 지지부(12)에 장착된 . 진공 분위기로 유지되는 챔버(1)와, 챔버(1) 내에 서로 평행하게 배치된 제 1 및 제 2 전극(2, 18)과, 제 1 및 제 2 전극(2, 18)의 사이에 고주파 전계를 형성하여 . 고주파 전원은, 펄스상의 음극성의 직류 전압이 하부 . 플라즈마 표면처리 센터에서는 플라즈마 크리닝, 플라즈마 개질, 플라즈마 디스미어 공정에 이르기까지 다양한 분야에 걸쳐 플라즈마 표면 처리 서비스를 실시하고 있습니다. 미스터 피자 치즈 캡 플라즈마원이 가스 공급계에 의해서 공급되는 가스를 여기시킨다. [과제] 불안정한 방전을 억제하는 기술을 제공하는 것. 플라즈마, 파티클, 식각, Bevel, 링 본 발명은 반응 공간을 제공하는 챔버와, 상기 챔버 내부의 하부에 위치되는 하부 전극 및 상기 하부 전극의 외주면을 둘러싸도록 소정 높이를 가지는 측벽부를 구비하고, 상기 측벽부의 상단부에 기판이 안착되는 플라즈마 감금 . 플라즈마 방전 전력과 반응기체의 유량 증가 본 발명의 플라즈마 처리 장치 및 방법에 의하면 높은 밀도와 균일성을 갖는 플라즈마를 공급할수 있어 피처리 기판을 효율적으로 처리할 수 있다. 일실시 형태에 있어서의 플라즈마 처리 장치에서는, 마이크로파 생성부와 서큘레이터의 제 1 포트를 접속시키는 제 1 도파관에 제 1 방향성 결합기가 마련되어 있다. 지지 구조체가 처리 용기 내에서 피처리체를 유지한다. KR101002513B1 - 플라즈마 처리 장치 - Google Patents
플라즈마원이 가스 공급계에 의해서 공급되는 가스를 여기시킨다. [과제] 불안정한 방전을 억제하는 기술을 제공하는 것. 플라즈마, 파티클, 식각, Bevel, 링 본 발명은 반응 공간을 제공하는 챔버와, 상기 챔버 내부의 하부에 위치되는 하부 전극 및 상기 하부 전극의 외주면을 둘러싸도록 소정 높이를 가지는 측벽부를 구비하고, 상기 측벽부의 상단부에 기판이 안착되는 플라즈마 감금 . 플라즈마 방전 전력과 반응기체의 유량 증가 본 발명의 플라즈마 처리 장치 및 방법에 의하면 높은 밀도와 균일성을 갖는 플라즈마를 공급할수 있어 피처리 기판을 효율적으로 처리할 수 있다. 일실시 형태에 있어서의 플라즈마 처리 장치에서는, 마이크로파 생성부와 서큘레이터의 제 1 포트를 접속시키는 제 1 도파관에 제 1 방향성 결합기가 마련되어 있다. 지지 구조체가 처리 용기 내에서 피처리체를 유지한다.
알라바마 주 유전체 부재는 탑재대의 적어도 탑재면을 착탈 가능하게 덮을 수 있도록 설치된다. 하부 전극은, 처리 공간의 아래쪽에 마련되어 있다. . 플라즈마 처리 장치는 접지 전극상의 절연막을 제거 가능하다. 이러한 특징에 의하면, 기판의 양면 중 어느 일 면을 선택적으로 처리할 수 있을 뿐만 아니라 . 본 발명은, 종자가 포함된 배양액에 방전 플라즈마를 발생시켜 종자 및 종자 배양액을 플라즈마 처리 방법에 관한 것이다.
처리 용기는, 처리 공간을 구획하고 있다. 예시적 실시형태의 플라즈마 처리 장치에서는, 고주파 전원이, 플라즈마의 생성을 위하여 고주파 전력을 발생시킨다. 2017 · 는 기대가 높아지고 있다. 또한 Parylene Coating 과 … 본 발명은 플라즈마 처리 장치에 관한 것으로, 반응 공간을 갖는 챔버와, 상기 챔버의 측벽면에 마련되어 상기 측벽면을 둘레를 따라 회전하는 적어도 하나의 안테나부와, 상기 안테나부를 회전시키는 회전 부재 및 회전하는 상기 안테나부에 플라즈마 전원을 제공하는 플라즈마 전원부를 포함하는 . 유기막이 형성된 후에, 기판에 대하여 플라즈마 처리가 실행된다. KR20160030812A KR1020140120478A KR20140120478A KR20160030812A KR 20160030812 A KR20160030812 A KR 20160030812A KR 1020140120478 A KR1020140120478 A KR 1020140120478A KR 20140120478 A KR20140120478 A KR … Classifications.
본 발명은 반도체 기판 에지 영역에 퇴적되는 박막 또는 파티클을 제거할 수 있는 플라즈마 처리 방법에 관한 것으로서, 플라즈마 처리 장치 내의 기판 지지대 상에 기판의 중심 영역을 안착시키는 단계; 상기 플라즈마 처리 장치 내에 공정 가스를 유입하는 단계; 상기 플라즈마 처리 장치 내에 . 가스 공급부는, 처리 공간 내로 처리 가스를 공급한다. 피처리체에 플라즈마 처리를 행하는 플라즈마 처리 장치는, 피처리체를 수용하는 처리 용기와, 상기 처리 용기의 상부의 개구부를 밀봉하도록 마련되고, 상기 처리 용기 내에 마이크로파를 투과시키는 유전체창과, 상기 유전체창의 상면에 마련되고, 상기 유전체창에 마이크로파를 방사하기 위한 . [해결 수단] 플라즈마 처리 장치는, 기판이 탑재되는 탑재대가 내부에 마련되고, 기판에 대한 플라즈마 처리가 실시되는 처리실과, 탑재대에 바이어스용의 고주파 전력을 인가하는 고주파 전원과, 도전성 재료로 이루어지고, 접지 전위에 . 본 발명은 플라즈마 처리장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반송 챔버에서 플라즈마가 기생하지 않는 플라즈마 처리장치에 관한 것이다. [해결수단] 일실시형태의 플라즈마 처리 방법의 플라즈마 처리 방법은, 챔버 내에 있어서 기판에 제1 플라즈마 . PLASMA原理 - 百度文库
KR20140084551A - 수중 종자 플라즈마 처리 방법 - Google Patents 수중 종자 플라즈마 처리 방법 Download PDF Info Publication number KR20140084551A . 반도체 웨이퍼가 삽입되는 챔버와, 챔버내에 처리가스를 도입하는 처리가스 도입관과, 절연체를 통하여 상기 챔버의 바깥쪽 상기 피처리체에 대향하는 부분에 설치되고, 고주파전력이 공급되므로써 피처리체 근처에 유도전계를 형성하기 위한 안테나와, 적어도 그 일부가 안테나에 겹치도록 배치된 . 플라즈마 발생 수단과, 피처리 기판에 대하여 플라즈마 처리를 행하기 위한 처리실을 구획하는 처리 용기와, 처리 용기 내에서 피처리 기판을 얹어 놓는 기판 유지대와, 처리 용기 내를 감압하기 위한 배기 수단을 포함한 플라즈마 처리 장치(100)에 있어서, 마이크로파 투과판(28)을 지지하는 지지부(27 . 처리실에서 유도 플라즈마가 유전체 벽을 통해 여기된다. 에칭 장치(100)의 처리실(102) 내에는 한 쌍의 상부 및 하부 전극(118, 106)이 배치되어 있다. 일 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치는, 처리 용기, 가스 공급부, 하부 전극 및 상부 전극을 구비하고 있다.재직 증명서 인터넷 발급 -
배플판(28)을 흐르는 리턴 전류는 챔버(2)의 천정(2b)을 . 본 발명은 소재용 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다. 플라즈마 처리 장치는 웨이퍼를 지지하는 정전 척(electrostatic chuck), 상기 웨이퍼를 둘러싸도록 배치된 포커스 링(focus ring) 및 상기 포커스 링의 외주면을 둘러싸도록 배치된 절연 링, 및 상기 포커스 링 및 상기 절연 링의 하부를 지지하고, 상기 정전 척과 이격되어 . 해결해야 할 기술적 난제는 무엇일까요? 또 기존의 플라즈마 폐기물 처리 방식과는 …. 유도 결합형의 플라즈마 처리에서 챔버 내에 형성되는 도너츠 형상 플라즈마 내의 플라즈마 밀도 분포를 효율적으로 임의로 제어하는 것이다. (주)누리텍은 진공 고분자 코팅 기술로 축적된 진공 장치 노하우를 바탕으로 고객의 요구에 부응하기 위하여 플라즈마를 이용한 진공장치를 자체개발하여 상용화 하였습니다.
플라즈마, 챔버, 가스, 정전척, 기판 본 발명은 플라즈마 처리 장치 및 방법에 관한 것으로, 플라즈마 처리 장치는 챔버와, 상기 챔버 내에 서로 대향 위치한 상부 전극부 및 하부 전극부와, 상기 하부 전극부에 구비된 정전척 내의 하부 도전체에 연결된 제전용 . 본 발명은, 종자가 포함된 배양액에 방전 플라즈마를 발생시켜 종자 및 종자 배양액을 플라즈마 처리 방법에 관한 것이다. 본 발명은 무선 주파수 전원에 접속되는 유도 코일의 일측 단자, 개방 단부인 유도 코일의 타측 단자, 및 유도 코일의 실질적인 중심 . 이 플라즈마 처리 장치에서, 상기 처리실은 플라즈마 발생 영역의 매체를 매개로 하여 피처리 물체에 대향하게 배치되는 상판을 구비하고; 상기 상판에는 상판을 관통하여 처리실 내부로 들어가도록 배치된 하나 이상의 안테나가 마련된다. 본 발명은 플라즈마 처리 장치에 관한 것으로, 기판의 플라즈마 발생영역과 스테이지 사이에 필터부를 두어 이온이 제거된 반응종만을 기판상에 인가하여 플라즈마를 이용한 에싱 공정을 수행할 수 있고, 에싱 공정에 의한 기판 상부 패턴의 손상을 방지할 수 있다. 플라즈마 처리장치는 프로세스 챔버, 상기 프로세스 챔버 내에 구비되어 기판이 안착되는 서셉터, 상기 서셉터 상부에 구비되어 유도결합 방식(inductively coupled plasma, ICP)으로 .
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